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5SHX2645L0002 ABB IGCT模块
描述
IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物。其主体部分与晶体管相同，也有集电极（C）和发射极（E），但驱动部分却和场效应晶体管相同，是绝缘栅结构。IGBT的工作特点是：控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号UGE，输人阻抗高，栅极电流IG≈0，驱动功率很小。而其主电路部分则与GTR 相同，工作电流为集电极电流输入。此外，其工作频率可达20kHz。由IGBT作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10kHz以上，故电动机的电流波 形比较平滑，基本无电磁噪声。虽然硅双极型及场控型功率器件的研究已趋成熟，但是它们的性能仍在不断提高和改善，近年来出现的集成门极换流晶闸管（IGCT）可望迅速地取代GTO。
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