5SHY3545L0014 ABB 可控硅半导体模块全新现货

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描述

5SHY3545L0014 ABB可控硅半导体模块全新现货

描述

由于IGCT象IGBT那样具有快速开关功能,象GTO那样导电损耗低,在高压、大电流各种应用领域中可靠性更高。IGCT装置中所有元件装在紧凑的单元 中,降低了成本。IGCT采用电压源型逆变器,与其他类型变频器的拓扑结构相比,结构更简单,效率更高。对于4.16kV的变频器,逆变器中需要24个高 压IGBT,如使用低压IGBT,则需60个,而同类型变频器若采用IGCT,则只需12个。

优化的技术只需更少的元件,相同电压等级的变频器采用IGCT的数量只需低压IGBT的五分之一。并且,由于IGCT损耗很小,所需的冷却装置较小,因而 内在的可靠性更高。更少的元件还意味着更小的体积。因此,使用IGCT的变频器比使用IGBT的变频器简洁、可靠性高。

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