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5SHY3545L0021 ABBIGCT模块
相反，IGBT开关均匀，不需要缓冲电路，但通态损耗较大，而且用于中电压电路时，必须将低压IGBT串联使用，这样大大增加了系统的复杂性和损耗，同时还降低了系统的可靠性。在90年代中期，ABB科研人员通过优化i门级极驱动单元和器件外壳设计，采用集成门门极等技术，大大降低了GTO驱动电路的要求，实现了GTO到HD-GT0的技术飞跃。但HD-GT0的通态损耗比较大，研究人员就借鉴了IGBT在向中，高电压发展过程中所积累的各种降损耗技术。
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