DS200LDCCH1ALA  GE模块

DS200LDCCH1ALA  GE模块

DS200LDCCH1ALA双向可控硅是一种常用的半导体器件,被广泛应用于各种电子设备中1。
DS200LDCCH1ALA双向可控硅由四个区域组成:阳极(A)、阴极(C)、控制端(K)和负载。当加上控制信号时,通过改变阳极和阴极之间的电场强度,可以使负载上的电流在正反两个方向上流动,从而实现对电路的控制1。
DS200LDCCH1ALA的特点是具有高灵敏度、低功耗、高耐压等优点1。
DS200LDCCH1ALA是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR1。
DS200LDCCH1ALA
应用领域
DS200LDCCH1ALA的应用领域包括但不限于12:
驱动控制。
局域网(LAN)通信卡。
可控整流方面。
DS200LDCCH1ALA的优点是高灵敏度、低功耗、高耐压1。
DS200LDCCH1ALA是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR1。
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描述

DS200LDCCH1ALA  GE模块

DS200LDCCH1ALA双向可控硅是一种常用的半导体器件,被广泛应用于各种电子设备中1。
DS200LDCCH1ALA双向可控硅由四个区域组成:阳极(A)、阴极(C)、控制端(K)和负载。当加上控制信号时,通过改变阳极和阴极之间的电场强度,可以使负载上的电流在正反两个方向上流动,从而实现对电路的控制1。
DS200LDCCH1ALA的特点是具有高灵敏度、低功耗、高耐压等优点1。
DS200LDCCH1ALA是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR1。
DS200LDCCH1ALA
应用领域
DS200LDCCH1ALA的应用领域包括但不限于12:
驱动控制。
局域网(LAN)通信卡。
可控整流方面。
DS200LDCCH1ALA的优点是高灵敏度、低功耗、高耐压1。
DS200LDCCH1ALA是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR1。

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