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GFD563A101 3BHE046836R0101 ABB IGCT
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模块：GFD563A101 3BHE046836R0101
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GFD563A101 3BHE046836R0101 ABB技术规格
IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年问世的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是一种基于GTO结
构、利用集成栅极结构进行栅极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术GFD563A101
的新型大功率半导体开关器件,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术,因而使动态损耗降低了约
50%,另外,此类器件还在–个芯片.上集成了具有良好动态特性的续流_GFD563A101 二极
管，从而以其独特的方式实现了晶闸管的低通态压降、高阻断电压和晶体管稳定的开关特性有机结合.
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