3BHB004027R0101 ABB 可控硅半导体模块全新现货

3BHB004027R0101 ABB可控硅半导体模块全新现货

ABB型号名称:3BHB004027R0101

原产地:美国

制造商:ABB

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3BHB004027R0101 GVC700AE01 IGCT使变流装置在功率、可

靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进

展,给电力电子成套装置带来了新的飞跃。

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描述

3BHB004027R0101 ABB可控硅半导体模块全新现货

ABB型号名称:3BHB004027R0101

原产地:美国

制造商:ABB

要获得3BHB004027R0101的最优惠价格,请联系我们,我们将在24小

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3BHB004027R0101 GVC700AE01 IGCT使变流装置在功率、可

靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进

展,给电力电子成套装置带来了新的飞跃。3BHB004027R0101IGCT是将GTO芯片与

反并联二极管和栅极驱动电路集成在一起,再与其栅极驱动器在外

围以低电感方式连接,3BHB004027R0101结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通

态损耗的优点,在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体

管的特性。3BHB004027R0101IGCT具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高

结构紧凑、损耗低等特点,而且造成本低,成品率高,有很好的应

用前景。3BHB004027R0101 GVC700AE01采用晶闸管技术的G

TO是常用的大功率开关器件,它相对于采用晶体管技术的IGBT在

截止电压上有更高的性能,但广泛应用的标准GTO驱动技术造成不

均匀的开通和关断过程,需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较

大功率的栅极驱动单元,因而造成可靠性下降,价格较高,也不利

于串联。但是,在大功率MCT技术尚未成熟以前,IGCT已经成为

高压大功率低频交流器的优选方案。

 

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