2N3A3120-D TOSHIBA多晶硅结构

2N3A3120-D  TOSHIBA多晶硅结构

产品参数与规格

  • 品牌:TOSHIBA
  • 型号:2N3A3120-D
  • 封装:TO-3P(N)封装
  • 极性:NPN型
  • 额定电压:600V
  • 额定电流:15A
  • 最高工作温度:150℃
  • 最大功率:150W
  • 集电极-基极最大电压:600V
  • 集电极-发射极最大电压:600V
  • 基极-发射极最大电压:5V
  • 开关时间:120ns
  • 存储温度:-55℃~150℃
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  • 电话:15383419322
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描述

2N3A3120-D  TOSHIBA多晶硅结构

产品参数与规格

  • 品牌:TOSHIBA
  • 型号:2N3A3120-D
  • 封装:TO-3P(N)封装
  • 极性:NPN型
  • 额定电压:600V
  • 额定电流:15A
  • 最高工作温度:150℃
  • 最大功率:150W
  • 集电极-基极最大电压:600V
  • 集电极-发射极最大电压:600V
  • 基极-发射极最大电压:5V
  • 开关时间:120ns
  • 存储温度:-55℃~150℃

应用领域

TOSHIBA 2N3A3120-D可广泛应用于电源管理、电机控制、交流电源开关、电磁阀驱动等领域。

产品使用说明

  1. 请在使用前仔细阅读产品说明书,确保产品符合使用要求。
  2. 请妥善存放产品,避免受潮、受热、受压、受振等影响。
  3. 请勿将产品与其他电子元件混放,以免损坏或影响性能。
  4. 请勿超过产品额定电压、电流等参数使用,否则可能会导致产品损坏。
  5. 如有其他疑问或需要,请联系厂家客服。

技术说明

TOSHIBA 2N3A3120-D采用多晶硅结构,具有高耐压、低饱和电压、低温漂移等特点,适用于高速开关和功率放大等应用场合。产品封装采用TO-3P(N)封装,可承受高功率和高温度,适用于要求高可靠性的电路设计。

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